科技行业政策科技行业趋势
信息来源:互联网 发布时间:2023-05-21
以碳化硅以及IGBT为核心的功率半导体:主要支撑了新能源汽车、充电桩科技行业趋势、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统; 明显的在“新基建”中科技行业政策,以氮化镓和碳化硅为核心的新一代/第三代/宽禁带半导体是主要的受益者
以碳化硅以及IGBT为核心的功率半导体:主要支撑了新能源汽车、充电桩科技行业趋势、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统;
明显的在“新基建”中科技行业政策,以氮化镓和碳化硅为核心的新一代/第三代/宽禁带半导体是主要的受益者。
从禁带的角度解释,禁带就相当于一条河,绝缘体就是禁带很宽,电子从一端到不了另外一端;导体就是河窄到可以忽略了,电子随意在两侧流动;半导体相当于河上有座桥,电子可以从桥上走,桥上如果管制了就不能走(不导电),如果放开了,就可以走(导电)。
传统的半导体材料硅的禁带宽度为1.12eV(电子伏特),而宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料,典型的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等材料。国际上所以说的宽禁带半导体材料也是本文所指的第三代半导体,第三代半导体是比较具有中国特色的叫法。
以上我们看到了是比较冰冷的半导体的材料的相关参数,如果将这些参数转换为性能,则比较容易理解。
所以,宽禁带半导体最核心的功能就是提高了系统效率、减小了系统面积,从长远的角度看,一定会降低系统的成本(目前还不行)。
以上是从“新基建”的角度说宽禁带/第三代半导体科技行业趋势,实际上宽禁带/第三代半导体的核心应用还有在光电领域,比如2014年获得诺贝尔奖的中村修二就是做氮化镓蓝光器件。大家也不难理解,为什么三安光电突然可以做射频或者功率。因为工艺比较相似,只是应用领域不同了。
以上我们可以看到的是氮化镓、碳化硅在光电、射频以及功率领域的应用,也就不难发现“新基建”对宽禁带半导体,也就是第三代半导体的引领作用。
小米是全球氮化镓功率器件领导生产商Navitas的股东,拆解小米氮化镓充电器,其中NV6115_NV6117器件应用其中。
华为参股了山东天岳,天岳作为中国为数不多的碳化硅衬底企业,碳化硅对于功率和射频的重要意义不言而喻。
最近开盘就跌停的闻泰科技,收购的安世科技,也就是原来NXP下属公司,在氮化镓方面也有深入研究,大家可以看看安世的产品,也就不难理解为什么闻泰要全面持股安世了。
2016年,收购AIXTRON被否,然后中微半导体热炒的原因,都是与第三代半导体有关。
疫情以来,紫外LED消毒技术也将氮化镓推上一个风口,可以看看中科院半导体所在山西的公司布局。
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射频收发机芯片GC0802助力汽车智能网联化 /
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